kram .海上
一般教科书上会先讲半导体，然后是掺杂，然后是电子和空穴
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为什么电子不会占满空穴呢？
是啊，但是原理想不明白
kram .海上
电子填空穴的时候形成电流
电子填前面空穴的时候，它之前的地方又形成了新的空穴
kram .海上
跟上来了啊，所以是连续的电流
不然脉冲一下就没电流了
kram .海上
没电场
小球滚动还要个力
就算前面有地方
kram .海上
银行有很多钱，而我口袋空空，我不努力，银行的钱不会到我的口袋
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原本空穴的地方，多了电子，可能这个电子，来到这个空穴以后，他又想跑回去，有一个跑回去的趋势
kram .海上
所以要施加外电场
推过PN结
有个结压降
kram .海上
电子带负电荷，空穴带正电荷，同性相斥
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即便是a处的电子，同时受到两边空穴的吸引，那b处的电子也应该跟上啊b处的电子也应该跑到前面的空穴啊b处的电子跑到前面的空穴后，A处的电子就只受到前面的空穴的吸引了，于是a处的电子继续往前跑kram .海上
你觉得掺杂的时候空穴和电子是一样多的么？
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这个不清楚
同性相斥的话，他可能是这样演化 kram .海上
当p-n结上加有正向电压时，所产生电场的方向即与内建电场的方向相反，互相抵消，使得空间电荷区中的总电场有所降低，从而其中的正、负空间电荷也就有所减少，结果，空间电荷区的厚度也就减小了。相反，当p-n结上加有反向电压时，所产生电场的方向即与内建电场的方向一致，互相增强，使得空间电荷区中的总电场有所提高，从而也就使得空间电荷区中的电荷增多、厚度增大了。
p-n结的单向导电性和扩散电容效应，也就是势垒高度随着电压而发生变化所产生的一种效应；而势垒电容是势垒区的厚度（空间电荷区的宽度）随着电压而发生变化所产生的一种效应。由于势垒厚度的变化（即空间电荷区的变化）是p-n结两边多数载流子的运动所致，因此相应的势垒电容在很高的频率下也会起作用，往往是决定器件截止频率的重要因素。
如果所加的正向电压过高（例如超过1V）时，内建电场就完全被抵消了，空间电荷区也就不存在了，厚度变为0，这时p-n结也就失效了。当然，若在回路（例如开关电路）中接有适当的电阻，限制了电流，虽然p-n结不会损坏，但是通过的电流已经不再是受到势垒限制的那样随着电压而指数式上升的电流了。因此，只要是能够正常进行整流、检波等工作的p-n结，其中就必将具有一定厚度的空间电荷区。
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可能，多子本来都向空穴移动，向空穴移动一部分后，后方也会出现空穴，然后电子就会受到两边空穴的牵制，但又由于同性相斥，然后又有一部分电子被弹开
?上海 -mark ?上海 -mark 谢谢回复，
kram .海上
你需要找一个半导体设计方面的坛，这边基本只涉及应用
或者是工艺研发之类的
酒料
问一下
这个是不是印错了 应该是负的
